| 型号： | ZXTD09N50DE6TA | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANS NPN DUAL LOSAT 50V SOT23-6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 |
| ZXTD09N50DE6TA PDF |  |
| 产品目录绘图 | SOT-23-6 |
| 其它图纸 | SOT-23-6 Top SOT-23-6 Dual Pin Out |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 270mV @ 50mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10nA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 频率 - 转换 | 215MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-6 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1470 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | ZXTD09N50DE6CT |